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Ultra Low Power Associative Computing with Spin Neurons and Resistive Crossbar Memory

机译:具有自旋神经元和电阻的超低功耗联想计算   Crossbar memory

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摘要

Emerging resistive-crossbar memory (RCM) technology can be promising forcomputationally-expensive analog pattern-matching tasks. However, the use ofCMOS analog-circuits with RCM would result in large power-consumption and poorscalability, thereby eschewing the benefits of RCM-based computation. Wepropose the use of low-voltage, fast-switching, magneto-metallic spin-neuronsfor ultra low-power non-Boolean computing with RCM. We present the design ofanalog associative memory for face recognition using RCM, where, substitutingconventional analog circuits with spin-neurons can achieve ~100x lower power.This makes the proposed design ~1000x more energy-efficient than a 45nm-CMOSdigital ASIC, thereby significantly enhancing the prospects of RCM basedcomputational hardware.
机译:对于计算昂贵的模拟模式匹配任务而言,新兴的电阻式交叉开关存储器(RCM)技术可能很有前途。但是,将CMOS模拟电路与RCM一起使用会导致功耗大和可扩展性差,从而放弃了基于RCM的计算的好处。我们建议使用低压,快速切换的磁金属自旋神经元,通过RCM进行超低功耗非布尔计算。我们提出了一种使用RCM进行人脸识别的模拟关联存储器的设计,其中用自旋神经元替代传统的模拟电路可以实现约100倍的低功耗,这使拟议的设计比45nm-CMOS数字ASIC的能效高约1000倍,从而显着增强了性能基于RCM的计算硬件的前景。

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